型号: CH32V203C8T6

问题是: 如果不进行擦除, 直接执行写操作, 是否会类似E2PROM一样, 只能将新数据的1写入,而不会将1变为0?

比如二进制数据: 0011, 不擦除, 原来位置写入1100, 实际执行后数据实际存储为1111?

如果是的话, 对特定字节进行读写并加叠加表示写入次数的位, 来记录最新数据的位置, 就可以延长flash的使用寿命么?

您好，

        操作片内Flash，请按严格照应用手册中的操作步骤进行。如果您希望在芯片处于待机模式时，仍可保存或部分保存RAM中数据，可以参考应用手册中电源控制章节的待机模式说明；如果您希望将部分数据长期保存，可以开辟合适大小的Flash区域，使用空间换取寿命。