CH32V208有128K的零等待区和448K的非零等待区，如何将代码放到这些区域中，ld文件该如何编写，看示例和手册都没有相关的介绍。另外这个128K的零等待区是用RAM模拟出来的，能把这部分区域划分为RAM使用吗；

   CH32V20x_D8W - CH32V208x
   FLASH + RAM supports the following configuration
   FLASH-128K + RAM-64K
   FLASH-144K + RAM-48K
   FLASH-160K + RAM-32K

看LD文件，可以减少RAM而扩充FLASH，可不可以减少FLASH扩充RAM。

CH32V208资源说明 - SweetTea_lllpc - 博客园 (cnblogs.com)

在ISP工具中可以选择可变映射区为RAM的配置，无法将零等待区变为RAM，可以查看上面的博客。ISP工具配置可以参考下面。

可以留一个邮箱，提供一份将代码放在特定FLASH区域的参考，实现函数指定FLASH地址运行。

目前程序超出128K，有几个函数被编译到慢速flash中了，明显感觉运行缓慢了，这个慢速flash速度是多少，比代码放到零等待区起码慢了好几倍。

麻烦发下flash的参考例程，谢谢。

个人信息保护，已隐藏

已发送至邮箱，请查收。

我也需要一份将代码放在特定FLASH区域的参考 ,,个人信息保护，已隐藏

再提个问题，这个零等待和非零等待区域代码的执行速度相差多少。

零等待是主频的速度，非零等待是20M左右速度。