关于CH32V203 FLASH 0-31 页(4K) 将自动写保护,如何解除?

现在想通过APP反写boot区域(0X8000000),但是前4K自动写保护了,请问怎么解除前4K的自动锁定呢?

您好,可以先解除读保护,然后通过写保护寄存器配置解除写保护,具体可参考CH32V203应用手册介绍,如下图,后续若有问题,可通过邮箱(lzs@wch.cn)和我沟通,下面链接为应用手册下载链接:

/downloads/CH32FV2x_V3xRM_PDF.html

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@TECH62 但是在解除读保护的时候,将导致系统自动对闪存执行整片擦除操作。那这样不就没法升级iap了吗?


您好,正常我们一般不会对IAP进行修改,若你想要修改,目前我想到的方法是将前4K空出来,IAP程序从4K后面开始位置存放,这样就不需要解除写保护了,可以试一试。后续若有问题,可通过邮箱(lzs@wch.cn)和我具体沟通一下



你好是会整片擦除的。如果IAP后期有升级的需求建议可以在前4K写一个只用于跳转的程序,4K以后再写你的IAP+APP。


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