发现sdk自带了微秒和毫秒延时函数，但是没有发现纳秒级延时(不需要精确到1ns，只要比如60ns或者120ns的倍数即可)

于是我想到了用for循环来实现纳秒延时，遗憾的是需要知道指令周期才能确定，for循环实际执行了多久

比如

for(int?i=100;?i>0;--i)
asm?volatile("nop");

汇编代码是：

 ? ?li a5,100
.j: nop
 ? ?addi a5,a5,-1
 ? ?bnez a5,.j
这4行代码，目前确定第二行 nop 需要 1个指令周期 6.94ns(144M频率)

其他3行代码，并不知道具体执行指令的周期，也就没法计算for循环实际需要执行多久

是否有什么数据手册，可以提供比如 li 指令 addi 指令 bnez等指令的执行周期

这样，就能编写一个宏，实现 比如delay300ns，delay600ns这样的功能

您好，实现us级的延时，可以参考一下下图延时函数写法，do while执行一次大概4个时钟周期，在系统主频72MHz，入口参数t的值为100时，延时时间大概是55us左右。附件为测试代码，你可以参考一下。后续若有问题，可通过邮箱（lzs@wch.cn）和我沟通。

CH32V307 us延时.zip

虽然和我的代码差不多，但是又让我学了一招：

使用函数的时候，某些代码不会被优化掉(除非使用静态函数)

0000030e :
     30e:47a9                lia5,10
     310:02f50533          mula0,a0,a5
     314:0001                nop
     316:157d                addia0,a0,-1
     318:fd75                bneza0,314 
     31a:8082                ret

我之前也研究过类似的问题，虽然是ch573，但问题应该也差不多。

/bbs/thread-82077-1.html

指令运行的速度应该受流水线影响很大，而且估计详细的信息也是没有的。最重要的是，混合16位和32位指令会导致复杂的流水线延迟。

我猜你这个应用的话，可以嵌入汇编写一堆重复的32位nop，然后在起始的位置使用参数计算偏移量，控制跳转不同的nop处。短延时就往后面点跳，长延时就往前面点跳。由于nop指令都一样，跳转位置和执行时间应该就能成线性关系。

通过跳转到不同的nop地址似乎是个不错的方法，但是如何c代码和汇编代码混合编写呢？