例程中的跳转地址是0x00005000，在ld文件中，IAP的起始地址是0x08000000，APP的起始地址是0x08005000，实现跳转的函数在中断SW_Handler（）中如下：

void SW_Handler(void) {

    __asm("li  a6, 0x5000");

    __asm("jr  a6");

    while(1);

}

这应该是个汇编语言，将0x5000写入一个寄存器，然后执行jr跳转指令。

例程能够正常运行，并跳转到0x8005000执行APP程序，现在因为工程需求，IAP程序的大小可能会比较大，0x5000也就是20k的空间可能不足，所以我想增加其空间大小，所以修改APP起始地址为0x08010000，对应的APP的ld文件我也进行了修改如下：

MEMORY

{

FLASH (rx) : ORIGIN = 0x00010000, LENGTH = 44K

RAM (xrw) : ORIGIN = 0x20000000, LENGTH = 20K

}

IAP内的修改如下：

MEMORY

{  

/* CH32V20x_D6 - CH32V203F6-CH32V203G6-CH32V203K6-CH32V203C6 */

/*

FLASH (rx) : ORIGIN = 0x00000000, LENGTH = 64K     //32k

RAM (xrw) : ORIGIN = 0x20000000, LENGTH = 10K

*/ 

中断

void SW_Handler(void) {

    __asm("li  a6, 0x10000");

    __asm("jr  a6");

    while(1);

}

修改编译后，程序只能运行到IAP程序，无法实现跳转到APP程序所在的地址。目前不知道问题出在哪里，还请吧友们指教。

ps：ld文件内的LENGTH应该只是一个后续大小的值，我直接按64k写了，64k和例程的20k都试过，好像对跳转到0x08010000这个地址来说没啥区别。。

app程序占用的flash空间应该是：0x10000 （CH32V203F8P6最大的0等待容量）- 起始地址（在例程里面是0x5000）；你想要更大的程序空间，那么起始地址应该更小才对，你的程序直接设置到0x10000， 已经超出了地址空间；

我理解您的意思了，那如果我想要做2个APP，在IAP内实现跳转，我这2个APP的地址该如何设置呢？还有在烧录的时候，ld文件对烧录的影响，文件的起始地址改变，LD文件也要跟着修改吗？

感谢！

假设分为iap、app1以及app2，iap大小为20KB，app1大小为20KB，app2大小为20KB，在MCU flash中的排列顺序为iap、app1和app2。那么ld文件中设置iap的flash起始地址为0x00000000, app1的flash起始地址为0x00005000; app2的flash起始地址就是0x0000A000。

用户程序的起始地址改变了，ld文件也要一起修改。ld文件里面的flash起始地址会影响编译好了之后的app程序的第一行地址在哪里，也就是前面会有多少flash区域是空白的。

具体到烧写就要按照我们的EVT里面的说明，有两种方式，第一种是先烧写IAP程序，然后通过IAP接口烧写app程序；第二种是用bin合并工具将iap跟app程序合并成一个bin文件然后通过我们的烧写软件一次烧写进去。