对于CH32V203的FLASH操作的几个问题

1. CH32V203C8T6的FLASH具体是多少KB？使用WCH-LinkUtility查询出来是224KB，通过程序对128KB位置进行读写也是正常。

2. 对于FLASH的操作疑问，从手册上看到的编程如下截图：

   

   标准编程最小擦除单元是4KB，我的应用场景是把产品的设置值存在FLASH里，设置值就只有15项这样，大概需要30个字节，而如果使用这种方式明显浪费了太多FLASH空间。

   快速编程最小擦除单元是256字节，这个符合需求，然后我的疑问就是写入数据时必须是一次性写入256字节吗？

   目前使用以下两个API

3. FLASH_Status FLASH_ROM_ERASE(uint32_t StartAddr, uint32_t Length);

4. FLASH_Status FLASH_ROM_WRITE(uint32_t StartAddr, uint32_t *pbuf, uint32_t Length);

你好，你可以使用256字节的擦除void FLASH_ErasePage_Fast(uint32_t Page_Address);使用单词2字节编程（标准编程）FLASH_Status FLASH_ProgramHalfWord(uint32_t Address, uint16_t Data);。