前提：

1.芯片型号CH579M

2.bin文件约110K。

3.芯片分为IAP、A、B三个区，A和B存放当前运行程序和升级程序，IAP负责判断A还是B为当前运行程序并启动。

4.工作环境40~60摄氏度。

更新FLAHS操作步骤：

1.请求当前运行区域，当前运行在A区则发送B区升级文件，反之同理。

2.发送升级区文件，以每包256字节写入，每512字节擦除块一次，进行程序更新。

3.发送完成后进行读取整个flash的文件进行md5校验，校验成功则重启，让IAP运行新升级包。

发现问题：

      预计有1000左右CH579M芯片应用量，无规律的进行程序升级和更新，总体平均不超过3次，每片最高不超过10次，断断续续发现有4片FLASH芯片出现坏块无法写入。

1. 通过程序中使用FlashBlockErase和FlashWriteBuf块进行更新，然后读数据进行校验时，校验异常。

2. 通过jlink进行烧写，烧写正常，校验异常。

3. 通过WCHISPTool串口进行烧写，烧写正常，校验异常。

4. 还有一点奇怪的是至少有两片芯片(其余芯片之前没有太留意)，异常块地址为0xF700，不知道有没有什么提示作用。
   

但是机缘巧合的是，以上都失败以后，通过WCHISPTool开启两线仿真后，jlink一下烧写正常，然后其余flash操作又都正常了。感觉开启两线仿真把某些标志位清除了，请问能否告诉一下开启两线仿真做了什么设置，以便让程序在操作flash出现异常后能自己清除标志位。期待技术人员的回复，谢谢。若代码不便公开，可否发送到个人信息保护，已隐藏邮箱。

以下为程序更新flash的操作代码、jlink烧写报错代码、WCHISPTool串口烧写报错截图

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