我想用内部FLASH 保存几十个自己的数据，但是我尝试写入的时候发现写入时间需要4-5S才能完成。

    uint32_t secpos;        /* 扇区地址 */
    uint16_t secoff;        /* 扇区内偏移地址(16位字计算) */
    uint16_t secremain;     /* 扇区内剩余地址(16位字计算) */
    uint16_t i;
    uint32_t offaddr;       /* 去掉0X08000000后的地址 */
  


    if (waddr < STM32_FLASH_BASE || (waddr >= (STM32_FLASH_BASE + 1024 * STM32_FLASH_SIZE)))
    {
        return;     /* 非法地址 */
    }

    FLASH_Unlock();     /* FLASH解锁 */
    FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_BSY | FLASH_FLAG_EOP |FLASH_FLAG_WRPRTERR);
    offaddr = waddr - STM32_FLASH_BASE;             /* 实际偏移地址. */
    secpos = offaddr / STM32_SECTOR_SIZE;           /* 扇区地址  0~255 for STM32F103ZET6 */
    secoff = (offaddr % STM32_SECTOR_SIZE) / 2;     /* 在扇区内的偏移(2个字节为基本单位.) */
    secremain = STM32_SECTOR_SIZE / 2 - secoff;     /* 扇区剩余空间大小 */
    if (length <= secremain)
    {
        secremain = length; /* 不大于该扇区范围 */
    }

    while (1)
    {
        flash_read(secpos * STM32_SECTOR_SIZE + STM32_FLASH_BASE, g_flashbuf, STM32_SECTOR_SIZE / 2); /* 读出整个扇区的内容 */
        for (i = 0; i < secremain; i++)                                                              /* 校验数据 */
        {
            if (g_flashbuf[secoff + i] != 0XFFFF)
            {
                break;      /* 需要擦除 */
            }
        }
        if (i < secremain)  /* 需要擦除 */
        { 

            FLASH_ErasePage(secpos * STM32_SECTOR_SIZE + STM32_FLASH_BASE);  //Erase 4KB

            for (i = 0; i < secremain; i++)         /* 复制 */
            {
                g_flashbuf[i + secoff] = pbuf[i];
            }
            flash_write_nocheck(secpos * STM32_SECTOR_SIZE + STM32_FLASH_BASE, g_flashbuf, STM32_SECTOR_SIZE / 2); /* 写入整个扇区 */
        }
        else
        {
            flash_write_nocheck(waddr, pbuf, secremain); /* 写已经擦除了的,直接写入扇区剩余区间. */
        }
        if (length == secremain)
        {
            break; /* 写入结束了 */
        }
        else       /* 写入未结束 */
        {
            secpos++;               /* 扇区地址增1 */
            secoff = 0;             /* 偏移位置为0 */
            pbuf += secremain;      /* 指针偏移 */
            waddr += secremain * 2; /* 写地址偏移(16位数据地址,需要*2) */
            length -= secremain;    /* 字节(16位)数递减 */
            
            if (length > (STM32_SECTOR_SIZE / 2))
            {
                secremain = STM32_SECTOR_SIZE / 2; /* 下一个扇区还是写不完 */
            }
            else
            {
                secremain = length; /* 下一个扇区可以写完了 */
            }
        }
    }

    FLASH_Lock();; /* 上锁 */

您好，CH32F207的FLASH是支持两种编程方式的，推荐使用快速编程方式，如下图。在CH32F207 EVT有关于FLASH编程的例程，可以参考一下，EVT下载链接如下：

/downloads/CH32F20xEVT_ZIP.html