测试环境：

        室温33℃；供电由稳压电源提供3.3V；电流检测为合宙CC电流表。

测试数据：

        LowPower_Sleep(RB_PWR_RAM2K);睡眠电流大约1.7uA

        LowPower_Sleep(RB_PWR_RAM24K);睡眠电流大约3.4uA

        LowPower_Sleep(RB_PWR_RAM2K | RB_PWR_RAM24K);睡眠电流大约3.7uA

        LowPower_Sleep(RB_PWR_RAM2K | RB_PWR_RAM24K | RB_XT_PRE_EN);睡眠电流大约3.8uA

        LowPower_Shutdown(0); 下电模式，电流大约0.8uA

CC表补偿电流 -0.1uA

硬件电路：

测试程序：

/* 休眠函数 */

__HIGH_CODE

void MCU_Sleep()

{

    LowPower_Sleep(RB_PWR_RAM2K | RB_PWR_RAM24K | RB_XT_PRE_EN);//进入睡眠RB_PWR_RAM2K | RB_PWR_RAM24K | RB_XT_PRE_EN

    HSECFG_Current(HSE_RCur_100); // 降为额定电流(低功耗函数中提升了HSE偏置电流);

}

__HIGH_CODE

int main()

{

    //PWR_DCDCCfg(ENABLE);

    SetSysClock(CLK_SOURCE_PLL_48MHz);

    GPIOA_ModeCfg(GPIO_Pin_All, GPIO_ModeIN_PU);

    GPIOB_ModeCfg(GPIO_Pin_All, GPIO_ModeIN_PU);

    DelayMs(10);

    MCU_Sleep();

    //LowPower_Shutdown(0); //全部断电，唤醒后复位

}

查看测试的功耗结果和手册标注差距在1ua左右，这个理论上是没有问题的，符合测试的结果。

进一步降低芯片本身的功耗可以查看以下注意点：

1、焊接，芯片背面的共地效果对功耗可能会有影响，需要共地良好；

2、温度，即测试的温度。

针对这种功耗差距，建议在使用时注意唤醒的满载功耗或工作时长。

谢谢解答