想请教关于CH375HF6.LIB使用的内部80字节左右的RAM具体情况，绝对地址什么的，好安全分配其它变量！

另外：CH375HFA.LIB的7E00H-7FFFH为外部RAM变量区，是不是不能改动的？现在想把外部RAM变量区分配在单片机内置的外部RAM（768字节）中，行不行？

RAM的绝对地址没有，要是改为内置的外部RAM的话，那么磁盘缓冲区的地址和文件缓冲区的地址需要改动，也就是往后面推512字节

现在是只用到磁盘缓冲区，放在内置外部RAM的0000H到01FFH，能不能在剩下的256字节的内置外部RAM放库用到的变量？要不要设置什么？ 磁盘缓冲区往后面推512字节的话，内置外部RAM时放不下的！

那就磁盘缓冲区放在0X0000开始，文件缓冲区往后面定义就应该可以的

还是不明白，文件缓冲区用不到啊！

现在的问题是怎么把库用的变量（除了磁盘缓冲区和文件缓冲区）分配在单片机内置的外部RAM（768字节）中！

对于自带768字节的外部RAM的单片机，好象是在前768字节的RAM都是先用自带的768字节的RAM，超过768字节之后才用到你外扩的RAM

你说的是默认的情况，可以有个标志位切换访问地址重合的外部768字节的。问题是我用库CH375HFA.LIB的话，80字节的变量不知道被编译到哪去了，可能编译器会认为外部有个与单片机的16位地址线直接相连的外部RAM，实际上不是，自己外扩的RAM是和CH375不能同时选通的，现在只有将读写优盘用到的80字节的变量放在内置的外部RAM中或内部256字节的RAM中，但内置256字节的RAM可用的不多，得留给DEVICE的缓冲区64字节。 另外，用库CH375HF6.LIB时，主从模式一起编译通过后，主从都不能工作，而换成库CH375HFA.LIB后，从模式正常，主模式下生成的文件都是乱码。这说明：变量只有放在外部，而放在外部的话又不好放在内置外部RAM中！ 现在若是将DEVICE的缓冲区（64字节）放在内置外部RAM，必将影响DEVICE的性能，本来速率就已经很慢了！

关于库CH375HFA.LIB的使用：按字节读写文件，有什么要注意的地方？ 为什么写的文件中总是有被EWFILE.TXT的文件名替代掉的字符串！像是mCmdParam.Create.mPathName和mCmdParam.ByteWrite有公用的地方，库CH375HFA.LIB是没有定为LARGE模式的版本！