CH341写地址数据操作的问题

利用CH341EppWriteAddr函数写数据的速度与CH341EppWriteData函数写数据的速度差不多。 并且AS#的低电平选通宽度为200ns或是400ns。而ch341的文档中说 地址写操作的选通的低电平有效宽度 最小值为150ns,典型之为160ns。我重复多次,依然是我所测得的结果,并未达到datasheet的所说参数。

敬请回复~~~[Emot]1[/Emot]

不知道你的芯片的型号和批次,CH341A老批次的(批次0510)AS#的低电平选通宽度为200ns或是400ns 新批次的(3061,4066等)地址写操作的选通的低电平有效宽度 最小值为150ns,典型之为160ns。


我的是0502...能否申请几片新批次的,设计好后要批量的~~


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0502批次AS#的低电平选通宽度为200ns或是400ns


恩,明白。已填写申请。多谢`~


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