我用375B，自己写的程序，在仿真器上没有问题，能在U盘建立文件。把它烧进ROM片子，实际运行则会写乱U盘，既：插上计算机，无法点开，显示“文件或目录损坏”。只能不厌其烦改一次程序，烧录运行一次。发现在修改FAT表处就出问题。 具体来说就是： （1）读U盘可以，一旦写就不行。我试着读出FAT表，不做任何修改，原样原地址写回，在仿真器上当然正常，烧入片子运行就不行，用winhex看，发现FAT表有变，表头有的FF变成了0F或7F，难怪说文件损坏。我没改FAT表，所以应该不是FAT表，修改程序的问题吧？ （2）写入片子后，读扇区正常，写入到扇区子函数开始的往CH375送指令，数据等也正常（不死U盘），仅在循环送入数据后死掉（当然是因为送入的数据不知何故改变了） （3）偶尔会写正确，平均写7.8次扇区，正确一次。 请教各位大师：既然在仿真器上正常，写入片子后，操作375也正常，只有在循环送入数据后死掉（且偶尔会写正确），可能是什么原因？是否我的程序并无问题，只是硬件受到干扰？什么不稳定（电压之类）？或者别的原因？[Emot]4[/Emot]

补充：我用的是上海星研得仿真器STAR16L,单片机是196KB。烧入片子后，别的程序运行正常，包括CH375与计算机通信

（1）仿真器与芯片相比，速度要慢一些，即操作CH375的时序也会慢一些 （2）检查CH375的接口函数时序与芯片的速度是否匹配：命令后延时1.5uS，数据后延时0.6uS （3）直接写物理扇区试试，仅写入一个扇区，分析一下哪个步骤出错 （4）“循环送入数据后死掉”与“当然是因为送入的数据不知何故改变了”没什么关系，U盘本身不关心写入什么数据

我是命令后延时2uS，数据后也延时2uS并因此能多读写2块U盘（当然是在仿真器上） 如果仿真器与芯片相比，速度要慢一些，即操作CH375的时序也会慢一些，我该修改什么？延时更长？还是修改别的？ 直接写物理扇区试试，仅写入一个扇区，在相继送入LBA地址，每包长度（64字节），写入扇区数（1扇区），LBA地址，每包长度（64字节），写入扇区数后，送入写数据指令，等待中断状态为1EH后（到此都是正确的），循环送入数据后，用winhex看，LBA地址，每包长度（64字节），写入扇区数都正确，就是写入的数组内容不知何故改变了

（1）芯片的速度快，根据芯片的速度调整延时，使之符合命令后延时1.5uS，数据后延时0.6uS （2）CH375与U盘之间的数据含CRC校验，这部分数据传输不会错，那么应该是单片机CH375之间的数据出错了 <1>磁盘初始化、获取容量成功没？ <2>对比一下写扇区的流程是否正确，下载CH375EVT.ZIP，参考MISCELL下的例程， <3>写入特征数据，如：0x55，看一下出错数据是否有规律

一定要严格延时为命令后延时1.5uS，数据后延时0.6uS吗？我不是太严格，再试试吧 单片机CH375之间的数据为什么会出错了，仿真器上完全正确的，仅仅就是因为实际的MCU和仿真器的速度有差异，导致延时不准确吗？ 磁盘初始化都成功（包括三块不能读出的U盘）获取容量从未成功（在仿真器上能正确读写的8块U盘） 我在看看CH375EVT.ZIP 我写入未修改的FAT表扇区，表头有的FF变成0F，7F或00H

延时时间主要是对于高速单片机，大于这个这个时间基本上就可以，如果获取容量不成功，可以发送CMD_DISK_R_SENSE 命令，获取磁盘的错误状态，然后重试，一般循环获取5次就可以了

唉，以前试过，再试试吧！只是硬件受到干扰？可是在烧入片子后，写入的数组内容不知何故改变了。到底是不是什么不稳定（电压之类）？或者屏蔽做得不好，电磁干扰导致数据传输错误？

我发现再读出扇区数据时有时正确，有时要起变化（并且如果这次数据有变化，会比正确读取一个扇区耗时久点），是不是连接375的插座和usb线的插头接触不良的原因？ 因为有时连初始化也老通不过（此时U盘灯闪烁，375的发光管，亮着，不闪烁），用手压一压插头，就初始化成功

耗时久可能是读出的数据出现了错误，分析文件系统时无法通过，CH375试图在去不断的读。 建议USB接口外壳要接地。USB平行走线。CH375的UD+，UD-到USB接口的线尽量短些。

谢谢我立即再试试，改改线，看行不行！ 不知道为何仿真器环境下没有这问题？

唉，极度不稳定，写3，4次才能正确一次。到底是哪里出了问题

经过改线后,情况有没有改善? 你可以直接写物理扇区,或者读扇区,看看有没有错误.如果总线上有问题的话，不会就错那几个固定数据的.所以你测试一下读扇区.写扇区看看有没有问题,以便于确认是库里面有问题还是硬件出现问题了,.仿真器和真实的硬件还有一个区别那就是RAM大小可能会不一样的.目前使用的RAM是多少?

还没有，今天刚搞到一根屏蔽线，明天立即换上试试！ 直接读扇区的错误就是如上所言！不稳定。时对时错 ram好像是64K

和375B的晶振（12M的），电容有没有关系？

电容和晶振有关系,一般都用15P-47P的,越小越容易起振,越大震荡越稳定