用375采用IO口模拟并口的方式对U盘进行写数据 以字节方式写 一行数据67字节 几百行的时候都是正确的 但是当数据量在大一点，现在刚1000多的时候就偶尔会出现错误数据，连续写几次才能有一次是正确的，有什么方法可以改进吗 我想每写200行就修改一次文件长度会有效果吗？

把你的并口读写函数发过来看看，可能是读写时序上面的问题。

void xWriteCH375Cmd( UINT8 mCmd ) /* 外部定义的被CH375程序库调用的子程序,向CH375写命令 */ { //*(UINT8XV *)0XBDF1 = mCmd; //return; mDelay1_2uS( ); mDelay1_2uS( ); /* 至少延时1uS */ mDelay1_2uS( ); mDelay1_2uS( ); P0 = mCmd; /* 向CH375的并口输出数据 */ CH375_A0 = 1; CH375_CS = 0; CH375_WR = 0; /* 输出有效写控制信号, 写CH375芯片的命令端口 */ CH375_CS = 0; /* 该操作无意义,仅作延时,CH375要求读写脉冲宽度大于100nS */ CH375_WR = 1; /* 输出无效的控制信号, 完成操作CH375芯片 */ CH375_CS = 1; CH375_A0 = 0; P0 = 0xFF; /* 禁止数据输出 */ mDelay1_2uS( ); mDelay1_2uS( ); mDelay1_2uS( ); mDelay1_2uS( ); /* 至少延时2uS */ }

void xWriteCH375Data( UINT8 mData ) /* 外部定义的被CH375程序库调用的子程序,向CH375写数据 */ { //*(UINT8XV *)0XBCF0 = mData; //return; P0 = mData; /* 向CH375的并口输出数据 */ CH375_A0 = 0; CH375_CS = 0; CH375_WR = 0; /* 输出有效写控制信号, 写CH375芯片的数据端口 */ CH375_CS = 0; /* 该操作无意义,仅作延时,CH375要求读写脉冲宽度大于100nS */ CH375_WR = 1; /* 输出无效的控制信号, 完成操作CH375芯片 */ CH375_CS = 1; P0 = 0xFF; /* 禁止数据输出 */ mDelay1_2uS( ); mDelay1_2uS( ); mDelay1_2uS( ); /* 至少延时1.2uS */ }

UINT8 xReadCH375Data( void ) /* 外部定义的被CH375程序库调用的子程序,从CH375读数据 */ { UINT8 mData; //return( *(UINT8XV *)0XBCF0 ); mDelay1_2uS( );mDelay1_2uS( ); mDelay1_2uS( ); /* 至少延时1.2uS */ P0 = 0xFF; /* 输入 */ CH375_A0 = 0; CH375_CS = 0; CH375_RD = 0; /* 输出有效写控制信号, 读CH375芯片的数据端口 */ CH375_CS = 0; /* 该操作无意义,仅作延时,CH375要求读写脉冲宽度大于100nS */ mData = P0; /* 从CH375的并口输入数据 */ CH375_RD = 1; /* 输出无效的控制信号, 完成操作CH375芯片 */ CH375_CS = 1; return( mData ); } 读写函数里的延时是最小延时吧 比要求的长应该没有问题吧

命令和数据之间的延时在2us，数据和数据之间有1us就可以了，数据出错，函数有没有返回什么错误代码？ 可以把你的整个程序发到技术支持信箱 tech@wch.cn