烧写片子就打折扣

请教:我用375B,自己处理的FAT32 仿真时,效果极好,写了几百个文件也没问题 烧上片子运行就时对时错 有时能正常建立文件 有时写错,我检查发现其中读出FAT表扇区内容经常出错(错的不离谱,看得出是fat表),也有对的时候,可能读别的扇区(比如FDT扇区),也有类似情况。把错误的扇区写回U盘 当然计算机会提示“目录或文件表损坏” 仿真器上就没有过这种情况(我试了好多U盘) 请问大家为何会这样? 碰到这情况如何着手解决?

那你说的现象无非和RAM或者硬件干扰还有读写速度有关系。 脱机运行的时候,读写物理扇区会出现数据错误吗? 您可以用CH376来替换。


请问RAM或者硬件干扰还有读写速度有关系该如何解决? 我用屏蔽线也不行 电路板是按照贵公司的文档要求做的,其余还能怎么抗干扰?加大电容? 我晶振是12兆的 读扇区速度应该加快还是减慢? 脱机运行就是指烧写上片子运行吧? 此时就是时对时错


分开测试 你只读写物理扇区会有问题吗?


是的,如果上了片子 读出FAT表扇区显示在屏幕上 发现:LBA地址一直是正确的 而扇区正确的几率只有40% 当然仿真时是百试百灵的


分析错误的话,一般USB通讯时没有什么问题的,底层有CRC校验。 另外就是MCU和CH375通讯出现问题了。 从你反映的现象分析,如果CH375和U盘之间通讯有问题,很有可能会产生你说的现象。因为CBW是CH375传输的。 当然你这个问题可以用USB分析仪来看,看看CH375和U盘的通讯是否存在问题。 仿真器和上片跑,应该是上片跑速度更快些。可能还有其他的区别。你时序放慢些是否还有问题?


您好关于“仿真器和上片跑,应该是上片跑速度更快些。可能还有其他的区别。你时序放慢些是否还有问题?” 想问下放慢时序是指在读扇区子程序中多加延时吗? 具体加在哪里?2US够不够用 我烧伤片子后发现只在开头,和两次读出并判断375中断状态使延时几百毫秒就行(即仿真器上正常,上片跑只有40%),如果不加则读扇区时,U盘一直闪烁无法通过 其余处加不加不影响 到底该怎么加,加哪里,加多长延时? 盼望指教


不是的,就是读写函数,对CH375的读写速度。不是扇区读写。要不你把程序发给我来看看吧,下面有我的邮件地址


就是对375命令口和数据口的读写吗? 我马上发来,麻烦看看


只有登录才能回复,可以选择微信账号登录