求助 CH552 系列的芯片 flash丢失问题

用CH552E  552G 这两个芯片做了几个USB开关通讯设备。 出现了flash丢失问题。

测试情况是这样子的,设备接USB HUB 扩张器 或 设备接台式机前面的USB口 然后反复拔插就容易flash 出现频率特别高。 

flash区被擦写掉了,代码中也按照网上提供的方案做了很多判定在稳定的情况才会写入flash。

这种是什么问题呢。求解。

可以分享一下允许flash操作的逻辑,看是否有漏洞存在。

CH552的Code flash的可擦写次数不是特别高,如果有数据存储的需求,优先考虑使用Data flash


使用的是 DataFlash  不是 code flash


是在官方的demo提供的 DataFlash.c 中拿过来做了修改使用的。

官方原生的也经常出现丢失问题, 后来经过网上有人分享的方案 做了一些判定处理 但是问题还是未能得到解决。


微信图片_20211104110240.png


搭车问一下CH552的CodeFlash失效模式是什么?出现什么现象可以认定寿命已经到了。

我手头有一片开发用的CH552G,目前烧录可能已经上百次了,想知道它怎么就算坏了。


4楼的朋友,可以参考下面代码的全局标志保护。代码是CH54X上运行的擦除函数,思路是一样的。


extern UINT8 FLASH_CHECK_BYTE_1;

extern UINT8 FLASH_CHECK_BYTE_2;


UINT8 UserDefFlashErase( UINT16 Addr, UINT16 len )

{

    bit e_all;

    UINT8 status;                                    /* 返回操作状态 */

    UINT8 FlashType;                                 /* Flash 类型标志 */

    UINT16 addr = Addr+UserDefineFlashAddr;

    UINT16 restlen = len;

    /* 判断是否可以正常执行FLASH操作 */

    if( ( FLASH_CHECK_BYTE_1 != DEF_FLASH_OP_CHECK1 ) && ( FLASH_CHECK_BYTE_2 != DEF_FLASH_OP_CHECK2 ) )

    {   //FLASH_CHECK_BYTE_1和FLASH_CHECK_BYTE_2通常在USB中断中满足一定条件置位,或者在GPIO中断中置位,这个标志的置位来源一定是芯片外部操作实现的,防止自己就擦写了

        return 0x02;

    }

    if((addr>=DATA_FLASH_ADDR) && (addr/* DataFlash区域 */

    {

        FlashType = bDATA_WE;

    }

    else                                             /* CodeFlash区域 */

    {

        FlashType = bCODE_WE;

    }

    SAFE_MOD = 0x55;                                 /* 进入安全模式 */

    SAFE_MOD = 0xAA;

    //下面就是FLASH的擦(554以下不需要擦)、写、读

    //操作结束之后FLASH_CHECK_BYTE_1和FLASH_CHECK_BYTE_2及时复位

    GLOBAL_CFG |= FlashType;

        do

        {

            ROM_ADDR = addr;                                 /* 写入目标地址 */

                ROM_BUF_MOD = bROM_BUF_BYTE;                     /* 选择块擦除模式或单字节编程模式 */

                ROM_DAT_BUF = 0;                                 /* 擦写数据缓冲区寄存器为0 */

                if ( ROM_STATUS & bROM_ADDR_OK )                 /* 操作地址有效 */

                {

                        ROM_CTRL = ROM_CMD_ERASE;                    /* 启动擦除 */

                        if(ROM_STATUS & bROM_CMD_ERR)

                        {

                                status = 0x02;    /* 未知命令或超时 */

                                return status;

                        }

                        else

                        {

                                status = 0x00;    /* 操作成功 */

                        }

                }

                else

                {

                        status = 0x01;    /* 地址无效 */

                        return status;

                }

                addr += 64;

                if( restlen >= 64 )

                {

                    restlen -= 64;

                }

                else if( restlen < 64 )

                {

                    restlen = 0;

                }

        }while( restlen );

    SAFE_MOD = 0x55;                                 /* 进入安全模式 */

    SAFE_MOD = 0xAA;

    GLOBAL_CFG &= ~FlashType;                        /* 开启写保护 */

    EA = e_all;                                      /* 恢复全局中断状态 */

        CH549WDTModeSelect(1);                           /* 启动看门狗 */

    return status;

}



5楼的朋友,当flash的某一些比特位无法被代码修改的时候,flash就出问题了,可能在ISP工具对芯片进行烧录的时候会出现失败的现象。



@7楼的朋友,ISP会报错就好了,我看一下这个开发用的CH552G什么会挂掉。


6楼 老哥 你提供的这个 我也是参考过的,修改后就是我4楼贴图的也是加了全局标识位的  但是还是被擦写掉。


全局标志应该有多个,且生效的地方,逻辑都很重要,且在退出函数的时候应该将全局标志无效。

我们防止的是在上下电过程中程序运行的异常,意外的进入这个函数执行了flash操作,那全局标志的作用应该是只在一通复杂交互逻辑之后才会生效(类似打游戏AAABBBBBXXXXXXYYY开启隐藏功能),除此之外任何时候调用这个函数都是无效的。


你截图的代码中判断条件用的是“||”,相信调用这个函数的地方参数都是满足的,要是跑飞到:

jump to this line code;  <----------------------------------------------------------------------

writedataflash(X,X,X);

上面的情况是不是紧接这调用了会传入正确参数的flash操作函数呢?同时READY(应该是个全局标志吧?)也无所谓是什么值。再里面一层判断条件return i的,意义也不是很大。








好的 感谢。 逻辑上好像是存在一些问题, 我先做下调整 在测试看看。


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