EEPROM:
调用 EEPROM_ERASE 擦除256字节,但我写入260字节,发现多余的4字节能正常写入。
注释 EEPROM_ERASE 指令,不擦写,直接写入,发现首256字节无法写入,但最后4字节能正常写入。
FLASH:
调用擦除函数,擦除4K后,读出是一堆 0xA9BDF9F5,为什么不是0XFFFFFFFF ??
调用 FLASH_ROM_ERASE 擦除4K字节,从4K-256字节处写入260字节,发现多余的4字节能正常写入。
注释 FLASH_ROM_ERASE 指令,不擦写,直接写入,发现首4K字节边界内无法写入,但下一4K的4字节能正常写入。
不知道底层库做了什么骚操作,测试结果与常规预期不一致。