256字节的页,例如第一次只编程前128个字节,其他全部用FF,第二次再编程后128个字节(输入数组前128字节与第一次编程相同),这个操作是否允许?试了一下,好像是不行。这种少量编程的情况,只能使用兼容的标准编程方式按2字节方式实现?
热门产品 :
CH32V317: 互联型青稞RISC-V MCU
256字节的页,例如第一次只编程前128个字节,其他全部用FF,第二次再编程后128个字节(输入数组前128字节与第一次编程相同),这个操作是否允许?试了一下,好像是不行。这种少量编程的情况,只能使用兼容的标准编程方式按2字节方式实现?
您好,若编程方式采用页编程方式(256字节编程),程序中先后编程两次应该是没问题的,但要注意后半部分不能用0xFF表示,需要用0xe339表示,因为我们FLASH擦除成功后,字读- 0xe339e339,半字读- 0xe339,偶地址字节读- 0x39,奇地址读 0xe3,如下图。附件为参考例程,可以参考一下。