| 资料名称 |
资料简介 |
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CH275DS1.PDF
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20V无线充电发射端全桥功率芯片CH275的手册，CH275内置了4个功率开关管和电流采样模块及信号放大模块，集成了过流保护、过温保护、过压保护等模块，支持FOD异物检测，内置LDO稳压器为MCU提供电源，用于无线充电或电机驱动 |
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CH211DS1.PDF
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Type-C/PD高压接口芯片CH211的手册，内置了4通道高压开关和高压LDO及升压模块，集成了VBUS监测、过压和过温监测，支持N型MOSFET功率管控制，提供SCL/SDA两线接口用于MCU的PD信号高压扩展和对接高压Type-C |
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CH641DS0.PDF
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PD无线充电MCU的数据手册，CH641基于青稞RISC-V内核，单线调试，内置PD PHY、BC接口、差分电流采样、电机PWM，单芯片内置12V高压IO驱动MOS，支持type C快充，提供过压和过温保护 |
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CH252DS1.PDF
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eMarker芯片CH252数据手册，CH252单芯片集成VCONN二极管和Ra电阻，支持USB Type-C 2.1标准和USB PD 3.1标准，可用于各类Type-C线缆、USB4 Passive Cable、Type-C电子标签eMarker应用。 |
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CH283DS1.PDF
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48V双N管预驱芯片CH283的手册，包含三个独立半桥实现三相半桥栅极驱动，内置自举二极管，内置死区时间控制，用于48V以下三相无刷直流电机中6只N沟道MOSFET功率管的GATE驱动 |
用户
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